Feldeffekttransistor mit Metall-Isolator-Halbleiter-Aufbau
- Feldeffekttransistor mit Metall-Isolator-Halbleiter-Aufbau
- metalo-dielektriko-puslaidininkio lauko tranzistorius
statusas T sritis radioelektronika
atitikmenys: angl. metal-insulator-semiconductor FET; metal-insulator-semiconductor field-effect transistor
vok. Feldeffekttransistor mit Metall-Isolator-Halbleiter-Aufbau, m; Metall-Isolator-Halbleiter-Feldeffekttransistor, m
rus. полевой МДП-транзистор, m; полевой транзистор типа металл-диэлектрик-полупроводник, m
pranc. transistor à effet de champ métal-isolant-semi-conducteur, m
Radioelektronikos terminų žodynas. – Vilnius : BĮ UAB „Litimo“.
Kazimieras Gaivenis, Gytis Juška, Vidas Kalesinskas.
2000.
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Metall-Isolator-Halbleiter-Feldeffekttransistor — Der Metall Oxid Halbleiter Feldeffekttransistor (englisch: metal oxide semiconductor field effect transistor, MOSFET auch MOS FET, selten MOST) ist eine Variante der Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate (IGFET), genauer der Metall Isolator… … Deutsch Wikipedia
Metall-Oxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor — Der Metall Oxid Halbleiter Feldeffekttransistor (englisch metal oxide semiconductor field effect transistor, MOSFET auch MOS FET, selten MOST) gehört zu den Feldeffekttransistoren mit isoliertem Gate, auch als IGFET bezeichnet. Er ist den… … Deutsch Wikipedia
Feldeffekttransistor — Feldeffekttransistoren oder FET (engl. field effect transistor) sind eine Gruppe von unipolaren Transistoren, bei denen im Gegensatz zu den Bipolartransistoren nur ein Ladungstyp am Stromtransport beteiligt ist – abhängig von der Bauart… … Deutsch Wikipedia
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